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“中國功率半導體領路人”陳星弼院士在成都逝世
2019-12-05
新華社

  新華社成都12月4日電(記者吳曉穎)記者4日從電子科技大學獲悉,中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼因病醫治無效,于4日17時10分在成都逝世,享年89歲。

  陳星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江。1952年從同濟大學電機系畢業后,他先后在廈門大學、東南大學和成都電訊工程學院(現電子科技大學)工作。1999年當選為中國科學院院士,2019年當選為國際電氣與電子工程師協會終身會士。

  陳星弼是我國功率半導體領域的領路人和集大成者。他一生發表學術論文200余篇,獲得中美等國專利授權40余項。他是國際上首個提出超結耐壓層理論的科學家,他的超結發明專利打破傳統“硅極限”,被國際學術界譽為“高壓功率器件新的里程碑”。

  陳星弼曾獲得國家技術發明獎、科技進步獎等諸多榮譽,2015年獲得IEEE ISPSD(國際功率半導體器件與集成電路年會)頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”,成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂,成為首位入選名人堂的華人科學家。

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